Справочник MOSFET. P0803BDG

 

P0803BDG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P0803BDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для P0803BDG

 

 

P0803BDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  unikc
 p0803bdg.pdf

P0803BDG P0803BDG

P0803BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.2m @VGS = 10V30V 60ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C60IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C38AIDM120Pulsed Drain Current1

 8.1. Size:372K  unikc
 p0803bvg.pdf

P0803BDG P0803BDG

P0803BVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 8m @VGS = 10V 13ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C13IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C8AIDM50Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 50EAS

 9.1. Size:1531K  1
 ap0803qd.pdf

P0803BDG P0803BDG

 9.2. Size:92K  ape
 ap0803gmt-hf.pdf

P0803BDG P0803BDG

AP0803GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 8.5m Low On-resistance ID 50AG RoHS CompliantSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device des

 9.3. Size:95K  ape
 ap0803gmt-a-hf.pdf

P0803BDG P0803BDG

AP0803GMT-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 8.5m Low On-resistance ID 50AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugg

 9.4. Size:97K  ape
 ap0803gmp-hf.pdf

P0803BDG P0803BDG

AP0803GMP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 9.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 44AGSDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the DDDdesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design,

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top