Справочник MOSFET. P0804BVG

 

P0804BVG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0804BVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P0804BVG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0804BVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  unikc
p0804bvg.pdfpdf_icon

P0804BVG

P0804BVGN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = 10V40V 12ASOP- 08100% UIS tested100% Rg testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C12IDContinuous Drain CurrentTC= 100 AC8IDM50Pulsed Dr

 8.1. Size:391K  unikc
p0804bk.pdfpdf_icon

P0804BVG

P0804BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8m @VGS = 10V40V 30APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C(Package Limited)30TC = 25 IDC(Silicon Limited)Continuous Drain Current 68T

 8.2. Size:617K  unikc
p0804bd.pdfpdf_icon

P0804BVG

P0804BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8.5m @VGS = 10V40V 50ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C50IDContinuous Drain CurrentTC = 100 AC35IDM100Pulsed Drain Current1

 8.3. Size:478K  unikc
p0804bd8.pdfpdf_icon

P0804BVG

P0804BD8N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40V 8m @VGS = 10V 62ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C62IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C39AIDM160Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... P0770ETFS , P0780ATF , P0780ATFS , P0803BDG , P0803BVG , P0804BD , P0804BD8 , P0804BK , 2N7000 , P0903BEA , P0903BIS , P0903BK , P0903BKA , P0903BKB , P0903BT , P0903BTG , P0903BV .

History: CEP85N75 | FTK2102 | SSM6P36FE | HM60N03D | IXFC14N80P | PSMN0R9-30YLD

 

 
Back to Top

 


 
.