P0804BVG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0804BVG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P0804BVG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0804BVG даташит

 ..1. Size:393K  unikc
 p0804bvg.pdf pdf_icon

P0804BVG

P0804BVG N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = 10V 40V 12A SOP- 08 100% UIS tested 100% Rg tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 12 ID Continuous Drain Current TC= 100 A C 8 IDM 50 Pulsed Dr

 8.1. Size:391K  unikc
 p0804bk.pdf pdf_icon

P0804BVG

P0804BK N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8m @VGS = 10V 40V 30A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C(Package Limited) 30 TC = 25 ID C(Silicon Limited) Continuous Drain Current 68 T

 8.2. Size:617K  unikc
 p0804bd.pdf pdf_icon

P0804BVG

P0804BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8.5m @VGS = 10V 40V 50A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 50 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C 35 IDM 100 Pulsed Drain Current1

 8.3. Size:478K  unikc
 p0804bd8.pdf pdf_icon

P0804BVG

P0804BD8 N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 8m @VGS = 10V 62A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 62 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 39 A IDM 160 Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P0770ETFS, P0780ATF, P0780ATFS, P0803BDG, P0803BVG, P0804BD, P0804BD8, P0804BK, 2N7000, P0903BEA, P0903BIS, P0903BK, P0903BKA, P0903BKB, P0903BT, P0903BTG, P0903BV