P0908AD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P0908AD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
P0908AD Datasheet (PDF)
p0908ad.pdf

P0908ADN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V80V 69ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C69IDContinuous Drain Current3TC= 100 C44AIDM160Pulsed Drain Current1,2IASAvalanche Cu
p0908ad.pdf

N-Channel Logic Level Enhancement P0908ADNIKO-SEM TO-252Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 9m 80V 69A G 2.DRAIN 3.SOURCESABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C 69 Continuous Drain Current
p0908atf.pdf

P0908ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V80V 43ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C43IDContinuous Drain Current2TC = 100 C27AIDM160Pulsed Drain Current1,2IASAvalanche Current 38
p0908at.pdf

P0908ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V80V 64ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 80VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C64IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C41AIDM160Pulsed Drain Current1
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: STP10NM60ND | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK2424 | CM20N50P | 2SK4108 | AP9997GP-HF
History: STP10NM60ND | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK2424 | CM20N50P | 2SK4108 | AP9997GP-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor