Справочник MOSFET. P0950ETF

 

P0950ETF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0950ETF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.88 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для P0950ETF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0950ETF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:539K  unikc
 p0950etf-s.pdf pdf_icon

P0950ETF

P0950ETF / P0950ETFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.88 @VGS = 10V500V 9ATO-220F TO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C9IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5.7AIDM

Другие MOSFET... P0910ATG , P0920AD , P0920AT , P0920ATF , P0920BD , P0925AD , P0925BTF , P092ABD , IRFP450 , P0950ETFS , P0990AU , P1003BDF , P1003BK , P1003EK , P1003EVG , P1004BD , P1004BS .

History: BL4N65-P | AP9971GM | GSM2304AS | LNND04R120

 

 
Back to Top

 


 
.