P0950ETF - описание и поиск аналогов

 

P0950ETF - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0950ETF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.88 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для P0950ETF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0950ETF технические параметры

 0.1. Size:539K  unikc
 p0950etf-s.pdf pdf_icon

P0950ETF

P0950ETF / P0950ETFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.88 @VGS = 10V 500V 9A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5.7 A IDM

Другие MOSFET... P0910ATG , P0920AD , P0920AT , P0920ATF , P0920BD , P0925AD , P0925BTF , P092ABD , NCEP15T14 , P0950ETFS , P0990AU , P1003BDF , P1003BK , P1003EK , P1003EVG , P1004BD , P1004BS .

 

 
Back to Top

 


 
.