P1006BK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P1006BK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для P1006BK
P1006BK Datasheet (PDF)
p1006bk.pdf

P1006BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10m @VGS = 10V60V 43APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60 VVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C43IDContinuous Drain Current3Tc = 100 C27IDM120Pulsed Drain Curren
p1006bk.pdf

N-Channel Enhancement Mode P1006BK NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG. GATE 60V 10m 43A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Volt
p1006bis.pdf

P1006BISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10m @VGS = 10V60V 66ATO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C66IDContinuous Drain Current2TC= 100 C42AIDM150Pulsed Drain Cur
p1006bt.pdf

P1006BTN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10m @VGS = 10V60V 61ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C61IDContinuous Drain Current2TC= 100 C39AIDM150Pulsed Drain Current1
Другие MOSFET... P1003BK , P1003EK , P1003EVG , P1004BD , P1004BS , P1004HV , P1006BD , P1006BIS , 10N65 , P1006BT , P1006BTF , P1006BTFS , P1060AT , P1060ATF , P1060ATFS , P1060ETF , P1060ETFS .
History: P2206BD | IPW60R045P7 | BRCS060N03ZB | SPD04P10PG | IXTQ86N25T | IPB180N04S4-H0 | SPD04N60S5
History: P2206BD | IPW60R045P7 | BRCS060N03ZB | SPD04P10PG | IXTQ86N25T | IPB180N04S4-H0 | SPD04N60S5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor