P1103BVG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: P1103BVG 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: SOP8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для P1103BVG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
P1103BVG даташит
p1103bvg.pdf
P1103BVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 11m @VGS = 10V 11A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 11 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 10 A IDM 100 Pulsed Drain Current
p1103bea.pdf
P1103BEA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 11m @VGS = 10V 30V 37A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 37 TC = 100 C 23 ID Continuous Drain Current1,2 TA = 25 C 12 A T
pcp1103.pdf
PCP1103 Ordering number ENA1346 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor PCP1103 DC / DC Converter Applications Applications DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, IGBT gate drivers. Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High speed switch
pcp1103.pdf
Ordering number ENA1346A PCP1103 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 30V, 1.5A, Low VCE sat PNP Single PCP Applications DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, IGBT gate drivers Features Adoption of MBIT process Large current capacity Low collector to emitter saturation voltage High speed switching High allowable powe
Другие IGBT... P1060ETF, P1060ETFS, P1065AT, P1065ATF, P106AAT, P1070ATF, P1070ATFS, P1103BEA, IRFZ46N, P117AATX, P1203BD, P1203BEA, P1203BKA, P1203BV, P1203ED, P1203EEA, P1203EK
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46 | MSH60N35D | MSH40N032 | MSH30P100 | MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023
Popular searches
tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302




