P1402CDG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P1402CDG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 83 ns
Выходная емкость (Cd): 364 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO252
P1402CDG Datasheet (PDF)
..1. p1402cdg.pdf 
Size:548K _unikc
P1402CDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID14m @VGS = 4.5V20V 45ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTC = 25 C45IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C19AIDM140Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 33
..2. p1402cdg.pdf Size:843K _cn_vbsemi
P1402CDGwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 5030 25 nC0.009 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOL
9.1. pcp1402.pdf Size:478K _onsemi
Ordering number : ENA2303A PCP1402 Power MOSFET http://onsemi.com 250V, 2.4, 1.2A, Single N-Channel Features On-resistance RDS(on)=1.8 (typ) Input Capacitance Ciss=210pF (typ) Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 250 V Gate to Source Voltage VG
Другие MOSFET... P1260AT , P1260ATF , P1308AK , P1308ATFG , P1308ATG , P1350AT , P1350ATF , P1350ATFS , IRF3205 , P1403CV , P1403EK , P1403EV8 , P1503BVG , P1503HK , P1503HV , P1504BDG , P1504BVG .
