P1403EV8 - описание и поиск аналогов

 

P1403EV8 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P1403EV8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P1403EV8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1403EV8 технические параметры

 ..1. Size:473K  unikc
 p1403ev8.pdf pdf_icon

P1403EV8

P1403EV8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m @VGS = -10V -30V - 12A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -12 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C -10 A IDM -65 Pulsed Drai

 8.1. Size:513K  unikc
 p1403ek.pdf pdf_icon

P1403EV8

P1403EK P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m @VGS = 10V -30V -30A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C(Package Limited) -30 ID Continuous Drain Current TC = 25 C(Silic

 9.1. Size:395K  onsemi
 pcp1403.pdf pdf_icon

P1403EV8

Ordering number ENA2294A PCP1403 N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 4.5A, 117m , Single PCP Features On-resistance RDS(on)1=92m (typ.) 4V drive Protection Diode in Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain to Source Voltage VDSS 60 V Gate to Source Voltage

 9.2. Size:463K  unikc
 p1403cv.pdf pdf_icon

P1403EV8

P1403CV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14.6m @VGS = 10V 30V 11A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C 11 ID Continuous Drain Current1 TA = 70 C 7 A IDM 45 Pulsed Drain Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P1308ATFG , P1308ATG , P1350AT , P1350ATF , P1350ATFS , P1402CDG , P1403CV , P1403EK , IRF840 , P1503BVG , P1503HK , P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV .

 

 
Back to Top

 


 
.