P1403EV8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1403EV8  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1403EV8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1403EV8 даташит

 ..1. Size:473K  unikc
 p1403ev8.pdf pdf_icon

P1403EV8

P1403EV8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m @VGS = -10V -30V - 12A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -12 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C -10 A IDM -65 Pulsed Drai

 8.1. Size:513K  unikc
 p1403ek.pdf pdf_icon

P1403EV8

P1403EK P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m @VGS = 10V -30V -30A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C(Package Limited) -30 ID Continuous Drain Current TC = 25 C(Silic

 9.1. Size:395K  onsemi
 pcp1403.pdf pdf_icon

P1403EV8

Ordering number ENA2294A PCP1403 N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 4.5A, 117m , Single PCP Features On-resistance RDS(on)1=92m (typ.) 4V drive Protection Diode in Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain to Source Voltage VDSS 60 V Gate to Source Voltage

 9.2. Size:463K  unikc
 p1403cv.pdf pdf_icon

P1403EV8

P1403CV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14.6m @VGS = 10V 30V 11A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C 11 ID Continuous Drain Current1 TA = 70 C 7 A IDM 45 Pulsed Drain Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P1308ATFG, P1308ATG, P1350AT, P1350ATF, P1350ATFS, P1402CDG, P1403CV, P1403EK, IRF740, P1503BVG, P1503HK, P1503HV, P1504BDG, P1504BVG, P1504EDG, P1504EIS, P1504HV