P1504EDG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1504EDG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1504EDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1504EDG даташит

 ..1. Size:647K  unikc
 p1504edg.pdf pdf_icon

P1504EDG

P1504EDG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = -10V -45A -40V 100% Rg tested 100% UIS tested TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA= 25 C -45 ID Continuous Drain Current TA= 70 C

 8.1. Size:468K  unikc
 p1504eis.pdf pdf_icon

P1504EDG

P1504EIS P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = -10V -40V -38A 100% Rg tested 100% UIS tested TO-251(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -38 ID Continuous Drain Current TC = 100

 9.1. Size:534K  unikc
 p1504hv.pdf pdf_icon

P1504EDG

P1504HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 23m @VGS = 10V 40V 7A 100% UIS tested SOP-8 100% Rg tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C 7 ID Continuous Drain Current TA= 100 C 4 A

 9.2. Size:477K  unikc
 p1504bvg.pdf pdf_icon

P1504EDG

P1504BVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = 10V 40V 9A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 7.5 A IDM 35 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 32 EAS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P1403CV, P1403EK, P1403EV8, P1503BVG, P1503HK, P1503HV, P1504BDG, P1504BVG, IRFB4110, P1504EIS, P1504HV, P1510ATG, P1520ED, P1603BD, P1603BEB, P1603BEBA, P1603BEBB