P1603BEB - описание и поиск аналогов

 

P1603BEB - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P1603BEB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для P1603BEB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1603BEB технические параметры

 ..1. Size:221K  unikc
 p1603beb.pdf pdf_icon

P1603BEB

P1603BEB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 16m @VGS = 10V 30V 21A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 21 TC = 100 C 17 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 8 A TA= 70

 0.1. Size:456K  unikc
 p1603beba.pdf pdf_icon

P1603BEB

P1603BEBA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 16m @VGS = 10V 30V 24A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 24 TC = 100 C 15 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 8.8 A TA=

 0.2. Size:681K  unikc
 p1603bebb.pdf pdf_icon

P1603BEB

P1603BEBB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 16m @VGS = 10V 30V 24A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 24 TC = 100 C 15 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 8.2 A TA=

 8.1. Size:473K  unikc
 p1603bva.pdf pdf_icon

P1603BEB

P1603BVA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16m @VGS = 10V 30V 9.4A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 9.4 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 7.5 A IDM 50 Pulsed Drain Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P1603BD , IRFP260N , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , P1606BD .

 

 
Back to Top

 


 
.