P1603BV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P1603BV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для P1603BV
P1603BV Datasheet (PDF)
p1603bv.pdf

P1603BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 16m @VGS = 10V 10ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C8AIDM55Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 23EAS
p1603bva.pdf

P1603BVAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V30V 9.4ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C9.4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7.5AIDM50Pulsed Drain Current
p1603beb.pdf

P1603BEBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID316m @VGS = 10V30V 21APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C21TC = 100 C17IDContinuous Drain Current3TA = 25 C8ATA= 70
p1603beba.pdf

P1603BEBAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID316m @VGS = 10V30V 24APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C24TC = 100 C15IDContinuous Drain Current3TA = 25 C8.8ATA=
Другие MOSFET... P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P1603BD , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P55NF06 , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , P1606BD , P1610AD , P1610AT , P1703BDG .
History: VBM1105 | RFH25P10 | IXTK17N120L | P0460ED | SSF3055 | IRFSL9N60A | ZXM62N03G
History: VBM1105 | RFH25P10 | IXTK17N120L | P0460ED | SSF3055 | IRFSL9N60A | ZXM62N03G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent