P1604ED MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P1604ED
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 43 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 42 nC
Время нарастания (tr): 43 ns
Выходная емкость (Cd): 480 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO252
P1604ED Datasheet (PDF)
..1. p1604ed.pdf 
Size:592K _unikc
P1604EDP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-40V 16m @VGS = -10V -43ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-43IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-34AIDM-130Pulsed Drain Cu
8.1. p1604et.pdf Size:487K _unikc
P1604ETP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = -10V -40V -65ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-65IDContinuous Drain Current2TC = 100 C-42AIDM-120Pulsed Drain
8.2. p1604etf.pdf Size:379K _unikc
P1604ETFP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 16m @VGS = -10V -40ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-40IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-25AIDM-120Pulsed Drai
Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF3710 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .
