P2610ATG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P2610ATG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 128 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 79 nC
Время нарастания (tr): 250 ns
Выходная емкость (Cd): 887 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO220
P2610ATG Datasheet (PDF)
p2610atg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P2610ATGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 26m @VGS = 10V 50ATO-220100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C50IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C31AIDM200Pulsed Drain Current1IASAvalan
p2610atfg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P2610ATFGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 26m @VGS = 10V 31ATO-220F100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C31IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C19AIDM130
p2610adg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P2610ADGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID26m @VGS = 10V100V 50ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C50IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C35.5AIDM150Pulsed Drain Cur
p2610ai.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P2610AIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID26m @VGS = 10V100V 32ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C32IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C20AIDM100Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 53E
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: GSM3452