IRCZ345 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRCZ345
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO220
IRCZ345 Datasheet (PDF)
ircz34.pdf
PD - 9.590AIRCZ34HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 60V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.050 Fast Switching Ease of ParallelingID = 30A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and
Другие MOSFET... IRCP250 , IRCP254 , IRCP340 , IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , IRCZ245 , IRF1010E , IRCZ445 , IRF044 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918