IRCZ345 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRCZ345
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO220
IRCZ345 Datasheet (PDF)
ircz34.pdf

PD - 9.590AIRCZ34HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 60V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.050 Fast Switching Ease of ParallelingID = 30A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and
Другие MOSFET... IRCP250 , IRCP254 , IRCP340 , IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , IRCZ245 , 12N60 , IRCZ445 , IRF044 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JNFH20N60E | JNFH20N60C | JFDX5N50D | JFUX5N50D | JFQM3N150C | JFQM3N120E | JFFM9N90C | JFPC9N90C | JFFM9N50C | JFPC9N50C | JFFM8N80C | JFPC8N80C | JFPC8N65D | JFPC8N65C | JFFM8N60C | JFPC8N60C