P2003BDG - аналоги и даташиты транзистора

 

P2003BDG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P2003BDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 161 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P2003BDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2003BDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  unikc
 p2003bdg.pdf pdf_icon

P2003BDG

P2003BDGN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V25V 28ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C28IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C18AIDM90Pulsed Drai

 8.1. Size:341K  unikc
 p2003bea.pdf pdf_icon

P2003BDG

P2003BEAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 10APDFN 3x3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS30VGate-Source Voltage VGS20 TC = 25 C28 TC = 100 C18IDContinuous Drain Current TA = 25 C10A TA =

 8.2. Size:523K  unikc
 p2003beaa.pdf pdf_icon

P2003BDG

P2003BEAAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 25APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20Tc = 25 C25Tc = 100 C16IDContinuous Drain CurrentTA = 25 C8ATA= 70

 8.3. Size:500K  unikc
 p2003bvg.pdf pdf_icon

P2003BDG

P2003BVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 9ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7AIDM32Pulsed Drain Current1IAS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P2615ATG , P261AFEA , P261ALV , P1810ATX , P1820AD , P1820BD , P1825AD , P1825AT , TK10A60D , P3504BD , P3506DD , P3506DT , P3506DTF , P3606BD , P3606HK , P4404EDG , P4404EI .

History: FDAF62N28

 

 
Back to Top

 


 
.