Справочник MOSFET. P3506DD

 

P3506DD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P3506DD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 241 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P3506DD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  unikc
p3506dd.pdfpdf_icon

P3506DD

P3506DDP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID35m @VGS = -10V-60V -26ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-26IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-16AIDM-100Pulsed Drain C

 8.1. Size:373K  unikc
p3506dtf.pdfpdf_icon

P3506DD

P3506DTF P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-60V 35m @VGS = -10V -20ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-10AIDM-100Pulsed Drai

 8.2. Size:525K  unikc
p3506dt.pdfpdf_icon

P3506DD

P3506DTP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-60V 35m @VGS = 10V -40ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-40IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-25AIDM-150Pulsed Drain Cur

 9.1. Size:290K  niko-sem
p3506ed.pdfpdf_icon

P3506DD

P-Channel Enhancement Mode P3506ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -27A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP40T10GR | 2SK641 | IRFS4229 | BSC079N03SG | AOD1N60 | BUK7275-100A | AOB29S50

 

 
Back to Top

 


 
.