Справочник MOSFET. P3506DD

 

P3506DD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P3506DD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 241 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P3506DD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3506DD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  unikc
p3506dd.pdfpdf_icon

P3506DD

P3506DDP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID35m @VGS = -10V-60V -26ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-26IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-16AIDM-100Pulsed Drain C

 8.1. Size:373K  unikc
p3506dtf.pdfpdf_icon

P3506DD

P3506DTF P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-60V 35m @VGS = -10V -20ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-10AIDM-100Pulsed Drai

 8.2. Size:525K  unikc
p3506dt.pdfpdf_icon

P3506DD

P3506DTP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-60V 35m @VGS = 10V -40ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-40IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-25AIDM-150Pulsed Drain Cur

 9.1. Size:290K  niko-sem
p3506ed.pdfpdf_icon

P3506DD

P-Channel Enhancement Mode P3506ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -27A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 2

Другие MOSFET... P261ALV , P1810ATX , P1820AD , P1820BD , P1825AD , P1825AT , P2003BDG , P3504BD , 4N60 , P3506DT , P3506DTF , P3606BD , P3606HK , P4404EDG , P4404EI , P4404ETG , P4404QV .

History: SI4448DY | HGP115N15S | HY1203S | AP20N15AGH | BRCS020N06SRA | 2SK3539G0L | 2SK2089

 

 
Back to Top

 


 
.