P3506DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P3506DT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для P3506DT
P3506DT Datasheet (PDF)
p3506dt.pdf

P3506DTP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-60V 35m @VGS = 10V -40ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-40IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-25AIDM-150Pulsed Drain Cur
p3506dtf.pdf

P3506DTF P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-60V 35m @VGS = -10V -20ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-10AIDM-100Pulsed Drai
p3506dd.pdf

P3506DDP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID35m @VGS = -10V-60V -26ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-26IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-16AIDM-100Pulsed Drain C
p3506ed.pdf

P-Channel Enhancement Mode P3506ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -27A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 2
Другие MOSFET... P1810ATX , P1820AD , P1820BD , P1825AD , P1825AT , P2003BDG , P3504BD , P3506DD , 4435 , P3506DTF , P3606BD , P3606HK , P4404EDG , P4404EI , P4404ETG , P4404QV , P4404QVT .
History: 75N75L-TQ2-T | IPB80N04S4-04 | STP10NM60ND | HM60N02 | 30N20 | SM4025PSU | AP2328GN
History: 75N75L-TQ2-T | IPB80N04S4-04 | STP10NM60ND | HM60N02 | 30N20 | SM4025PSU | AP2328GN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234