P3606HK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P3606HK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для P3606HK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3606HK даташит

 ..1. Size:480K  unikc
 p3606hk.pdf pdf_icon

P3606HK

P3606HK Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 38m @VGS = 10V 60V 15A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 15 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C 10 IDM 40 Pulsed Drain Cur

 ..2. Size:782K  niko-sem
 p3606hk.pdf pdf_icon

P3606HK

P3606HK Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D1 D1 D2 D2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 38m 15A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source

 9.1. Size:481K  unikc
 p3606bd.pdf pdf_icon

P3606HK

P3606BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 36m @VGS = 10V 60V 22A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 22 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 14 A IDM 45 Pulsed Drain Current1 I

 9.2. Size:368K  niko-sem
 p3606bk.pdf pdf_icon

P3606HK

P3606BK NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 60V 40m 17A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Vol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P1825AD, P1825AT, P2003BDG, P3504BD, P3506DD, P3506DT, P3506DTF, P3606BD, AON6380, P4404EDG, P4404EI, P4404ETG, P4404QV, P4404QVT, P5002CDG, P5002CMG, P5003QVG