IRCZ445 - описание и поиск аналогов

 

IRCZ445. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRCZ445

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IRCZ445

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRCZ445 даташит

 8.1. Size:132K  international rectifier
 ircz44.pdf pdf_icon

IRCZ445

PD - 9.529B IRCZ44 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 60V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.028 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 50*A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance an

Другие MOSFET... IRCP254 , IRCP340 , IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , IRCZ245 , IRCZ345 , IRLB4132 , IRF044 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.