IRCZ445 - описание и поиск аналогов

 

IRCZ445 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRCZ445
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRCZ445

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRCZ445 технические параметры

 8.1. Size:132K  international rectifier
 ircz44.pdf pdf_icon

IRCZ445

PD - 9.529B IRCZ44 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 60V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.028 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 50*A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance an

Другие MOSFET... IRCP254 , IRCP340 , IRCP350 , IRCP440 , IRCP450 , IRCZ14 , IRCZ245 , IRCZ345 , IRLB4132 , IRF044 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS .

 

 
Back to Top

 


 
.