P5003QVT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P5003QVT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P5003QVT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5003QVT даташит

 ..1. Size:780K  unikc
 p5003qvt.pdf pdf_icon

P5003QVT

P5003QVT N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 27.5m @VGS =10V 30V 10A N 45m @VGS = -10V -30V -7A P SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 10 TA = 25 C P -7 ID Con

 7.1. Size:722K  unikc
 p5003qvg.pdf pdf_icon

P5003QVT

P5003QVG N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 27.5m @VGS = 10V 30V 10A N 45m @VGS = -10V -30V -7A P SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 10 TA = 25 C P -7 ID Co

Другие IGBT... P4404EDG, P4404EI, P4404ETG, P4404QV, P4404QVT, P5002CDG, P5002CMG, P5003QVG, CS150N04A8, P5010AD, P5010AS, P5010AT, P2003BE, P2003BEA, P2003BEAA, P2003BT, P2003BV