P5003QVT - описание и поиск аналогов

 

Аналоги P5003QVT. Основные параметры


   Наименование производителя: P5003QVT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P5003QVT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5003QVT даташит

 ..1. Size:780K  unikc
 p5003qvt.pdf pdf_icon

P5003QVT

P5003QVT N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 27.5m @VGS =10V 30V 10A N 45m @VGS = -10V -30V -7A P SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 10 TA = 25 C P -7 ID Con

 7.1. Size:722K  unikc
 p5003qvg.pdf pdf_icon

P5003QVT

P5003QVG N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 27.5m @VGS = 10V 30V 10A N 45m @VGS = -10V -30V -7A P SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 10 TA = 25 C P -7 ID Co

Другие MOSFET... P4404EDG , P4404EI , P4404ETG , P4404QV , P4404QVT , P5002CDG , P5002CMG , P5003QVG , BS170 , P5010AD , P5010AS , P5010AT , P2003BE , P2003BEA , P2003BEAA , P2003BT , P2003BV .

 

 
Back to Top

 


 
.