Справочник MOSFET. P5003QVT

 

P5003QVT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P5003QVT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P5003QVT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5003QVT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:780K  unikc
 p5003qvt.pdf pdf_icon

P5003QVT

P5003QVTN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel27.5m @VGS =10V30V 10A N45m @VGS = -10V-30V -7A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 10TA = 25 CP -7IDCon

 7.1. Size:722K  unikc
 p5003qvg.pdf pdf_icon

P5003QVT

P5003QVGN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel27.5m @VGS = 10V30V 10A N45m @VGS = -10V-30V -7A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 10TA = 25 CP -7IDCo

Другие MOSFET... P4404EDG , P4404EI , P4404ETG , P4404QV , P4404QVT , P5002CDG , P5002CMG , P5003QVG , 18N50 , P5010AD , P5010AS , P5010AT , P2003BE , P2003BEA , P2003BEAA , P2003BT , P2003BV .

History: SGSP364 | AOTF280A60L | IXTH20N65X | 2SK2688-01S | P4404QV | NCEAP40PT15G | 17P10L-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.