P5010AS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P5010AS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
trⓘ - Время нарастания: 251 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO263
P5010AS Datasheet (PDF)
p5010as.pdf
P5010AS N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 50m @VGS = 10V 34A TO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C34IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C21AIDM120Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 37
p5010at.pdf
P5010ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 50m @VGS = 10V 30ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C30IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C18AIDM70Pulsed Drain Current1
p5010av.pdf
P5010AVN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 10V100V 5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C5IDContinuous Drain Current1TA = 100 C3AIDM40Pulsed Drain
p5010ad.pdf
P5010ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 10V100V 23ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C23IDContinuous Drain Current1TC = 100 C14AIDM90Pulsed Drain Curren
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F