Справочник MOSFET. P8010BD

 

P8010BD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P8010BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18.5 nC
   Время нарастания (tr): 48 ns
   Выходная емкость (Cd): 68 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для P8010BD

 

 

P8010BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  unikc
 p8010bd.pdf

P8010BD P8010BD

P8010BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V100V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9AIDM35Pulsed Drain Current

 8.1. Size:411K  unikc
 p8010bis.pdf

P8010BD P8010BD

P8010BISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V100V 15A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9A

 8.2. Size:422K  unikc
 p8010bv.pdf

P8010BD P8010BD

P8010BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V100V 3.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C2.8AIDM20Pulsed Drain Curre

 9.1. Size:237K  toshiba
 tpcp8010.pdf

P8010BD P8010BD

TPCP8010MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPCP8010TPCP8010TPCP8010TPCP80101. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Mobile Equipment2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Small gate charge : QSW = 4.9 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 19.1 m (typ.) (VGS = 10 V

 9.2. Size:112K  samhop
 sp8010e.pdf

P8010BD P8010BD

GreenProductSP8010EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.4.3 @ VGS=10VSuface Mount Package.24V 26A 4.9 @ VGS=6V ESD Protected.7.0 @ VGS=4V D 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3.3

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top