Справочник MOSFET. P8010BD

 

P8010BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P8010BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P8010BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P8010BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  unikc
 p8010bd.pdf pdf_icon

P8010BD

P8010BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V100V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9AIDM35Pulsed Drain Current

 ..2. Size:305K  niko-sem
 p8010bd.pdf pdf_icon

P8010BD

N-Channel Enhancement Mode P8010BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G100V 85m 15A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 8.1. Size:411K  unikc
 p8010bis.pdf pdf_icon

P8010BD

P8010BISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V100V 15A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9A

 8.2. Size:422K  unikc
 p8010bv.pdf pdf_icon

P8010BD

P8010BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V100V 3.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C2.8AIDM20Pulsed Drain Curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P2402OV , P2502IZG , P8008BD , P8008BDA , P8008BV , P8008BVA , P8008HV , P8008HVA , IRFP064N , P8010BIS , P8010BV , P8315AD , P8315ATF , P8315BD , P8503BMA , P8503BMG , P3003EDG .

History: NCE60N1K0R | SSM5N16FE | AOI600A60 | 5N65G-TN3-R | IPB60R160C6 | FDMA86108LZ

 

 
Back to Top

 


 
.