P3003EDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P3003EDG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
P3003EDG Datasheet (PDF)
p3003edg.pdf

P3003EDGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30m @VGS = -10V-18A-30VTO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C-18IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C-12 AIDM-30Pul
smp3003-dl-e.pdf

SMP3003Ordering number : ENA1655BSANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSMP3003ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --75
smp3003.pdf

SMP3003Ordering number : ENA1655ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSMP3003ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --75 VGat
smp3003-dl-1e smp3003-tl-1e.pdf

Ordering number : ENA1655DSMP3003P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 75V, 100A, 8.0m , TO-263-2L/TO-263FeaturesTO-263 ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) 4V drive Input capacitance Ciss=13400pF (typ.)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --75 VGate to Source
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH065N06E | DH065N06D | DH065N06 | DH065N04P | DH065N04I | DH065N04F | DH065N04E | DH065N04D | DH065N04B | DH065N04 | DH060N08I | DH060N08F | DH060N08E | DH060N08D | DH060N08B | DH060N08
Popular searches
2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491