P3003EDG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P3003EDG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 370 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO252
P3003EDG Datasheet (PDF)
p3003edg.pdf
P3003EDGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30m @VGS = -10V-18A-30VTO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C-18IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C-12 AIDM-30Pul
smp3003-dl-e.pdf
SMP3003Ordering number : ENA1655BSANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSMP3003ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --75
smp3003.pdf
SMP3003Ordering number : ENA1655ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSMP3003ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --75 VGat
smp3003-dl-1e smp3003-tl-1e.pdf
Ordering number : ENA1655DSMP3003P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 75V, 100A, 8.0m , TO-263-2L/TO-263FeaturesTO-263 ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) 4V drive Input capacitance Ciss=13400pF (typ.)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --75 VGate to Source
smp3003.pdf
Ordering number : ENA1655DSMP3003P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 75V, 100A, 8.0m , TO-263-2L/TO-263FeaturesTO-263 ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) 4V drive Input capacitance Ciss=13400pF (typ.)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --75 VGate to Source
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
