P3003EDG - аналоги и даташиты транзистора

 

P3003EDG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P3003EDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P3003EDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3003EDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  unikc
 p3003edg.pdf pdf_icon

P3003EDG

P3003EDGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30m @VGS = -10V-18A-30VTO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C-18IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C-12 AIDM-30Pul

 9.1. Size:292K  sanyo
 smp3003-dl-e.pdf pdf_icon

P3003EDG

SMP3003Ordering number : ENA1655BSANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSMP3003ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --75

 9.2. Size:399K  sanyo
 smp3003.pdf pdf_icon

P3003EDG

SMP3003Ordering number : ENA1655ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSMP3003ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --75 VGat

 9.3. Size:201K  onsemi
 smp3003-dl-1e smp3003-tl-1e.pdf pdf_icon

P3003EDG

Ordering number : ENA1655DSMP3003P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 75V, 100A, 8.0m , TO-263-2L/TO-263FeaturesTO-263 ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) 4V drive Input capacitance Ciss=13400pF (typ.)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --75 VGate to Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P8010BD , P8010BIS , P8010BV , P8315AD , P8315ATF , P8315BD , P8503BMA , P8503BMG , IRF540N , P3004BD , P3004ND5G , P3010BV , P3055LDG , P3055LLG , P3202CMA , P3202CMG , P3203CMG .

 

 
Back to Top

 


 
.