P3003EDG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P3003EDG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P3003EDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3003EDG даташит

 ..1. Size:538K  unikc
 p3003edg.pdf pdf_icon

P3003EDG

P3003EDG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30m @VGS = -10V -18A -30V TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C -18 ID Continuous Drain Current TC= 100 C -12 A IDM -30 Pul

 9.1. Size:292K  sanyo
 smp3003-dl-e.pdf pdf_icon

P3003EDG

SMP3003 Ordering number ENA1655B SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SMP3003 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) 4V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --75

 9.2. Size:399K  sanyo
 smp3003.pdf pdf_icon

P3003EDG

SMP3003 Ordering number ENA1655A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device SMP3003 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input capacitance Ciss=13400pF 4V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --75 V Gat

 9.3. Size:201K  onsemi
 smp3003-dl-1e smp3003-tl-1e.pdf pdf_icon

P3003EDG

Ordering number ENA1655D SMP3003 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 75V, 100A, 8.0m , TO-263-2L/TO-263 Features TO-263 ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) 4V drive Input capacitance Ciss=13400pF (typ.) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS --75 V Gate to Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P8010BD, P8010BIS, P8010BV, P8315AD, P8315ATF, P8315BD, P8503BMA, P8503BMG, IRF540, P3004BD, P3004ND5G, P3010BV, P3055LDG, P3055LLG, P3202CMA, P3202CMG, P3203CMG