Справочник MOSFET. P3004BD

 

P3004BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P3004BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P3004BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3004BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  unikc
 p3004bd.pdf pdf_icon

P3004BD

P3004BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30m @VGS = 10V40V 29ATO-252100% Rg tested100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C29IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C23AIDM80Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:575K  unikc
 p3004nd5g.pdf pdf_icon

P3004BD

P3004ND5GN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel30m @VGS = 10V40V 12A N55m @VGS = -10V-40V -8.8A PTO-252- 5100% Rg tested100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 40VDSDrain-Source VoltageP -40VN 20VGSGate-Source VoltageP

Другие MOSFET... P8010BIS , P8010BV , P8315AD , P8315ATF , P8315BD , P8503BMA , P8503BMG , P3003EDG , 50N06 , P3004ND5G , P3010BV , P3055LDG , P3055LLG , P3202CMA , P3202CMG , P3203CMG , P3203EVG .

History: AON6716 | IPB60R099CP | IXTQ52N30P | MTP452L3 | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.