PZ2806HV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PZ2806HV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для PZ2806HV
PZ2806HV Datasheet (PDF)
pz2806hv.pdf

PZ2806HVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60V 32m @VGS = 10V 6ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C5AIDM30Pulsed Drain Current1IA
Другие MOSFET... PZ0703EK , PZ0703EV , PZ1003EK , PZ1203EV , PZ2003EEA , PZ2003EV , PZ2103NV , PZ2503HV , K4145 , PZ2N7002M , PZ3304QV , PZ509BA , PZ513BA , PZ5203EMA , PZ5203QV , PZ558EZ , PE6B0SA .
History: SI8487DB
History: SI8487DB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
Popular searches
c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet