PZ2806HV datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PZ2806HV 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOP8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PZ2806HV
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PZ2806HV даташит
pz2806hv.pdf
PZ2806HV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 32m @VGS = 10V 6A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Current1 IA
Другие IGBT... PZ0703EK, PZ0703EV, PZ1003EK, PZ1203EV, PZ2003EEA, PZ2003EV, PZ2103NV, PZ2503HV, 2N7002, PZ2N7002M, PZ3304QV, PZ509BA, PZ513BA, PZ5203EMA, PZ5203QV, PZ558EZ, PE6B0SA
History: IRF7314Q | AGM6014AP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet

