Справочник MOSFET. P2B60AMA

 

P2B60AMA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P2B60AMA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P2B60AMA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:438K  unikc
 p2b60ama.pdf pdf_icon

P2B60AMA

P2B60AMAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200 @VGS = 10V600V 40mASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 30 VTA = 25 C40IDContinuous Drain CurrentTA = 70 mAC31IDM120Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.7PD

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CS1N80A4H

 

 
Back to Top

 


 
.