P2B60AMA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P2B60AMA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P2B60AMA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2B60AMA даташит

 ..1. Size:438K  unikc
 p2b60ama.pdf pdf_icon

P2B60AMA

P2B60AMA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200 @VGS = 10V 600V 40mA SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 30 V TA = 25 C 40 ID Continuous Drain Current TA = 70 mA C 31 IDM 120 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.7 PD

Другие IGBT... PF610BC, PF610BL, PF610HV, PI506BZ, PI632BZ, PJ614DA, PC015BD, PC015HV, AON6380, P2E03BK, P4004ED, P4006DV, P4402FAG, PD0903BEA, PD0903BV, PD0903BVA, PD1203BEA