Справочник MOSFET. P2B60AMA

 

P2B60AMA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P2B60AMA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для P2B60AMA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2B60AMA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:438K  unikc
 p2b60ama.pdf pdf_icon

P2B60AMA

P2B60AMAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200 @VGS = 10V600V 40mASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 30 VTA = 25 C40IDContinuous Drain CurrentTA = 70 mAC31IDM120Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.7PD

Другие MOSFET... PF610BC , PF610BL , PF610HV , PI506BZ , PI632BZ , PJ614DA , PC015BD , PC015HV , IRLZ44N , P2E03BK , P4004ED , P4006DV , P4402FAG , PD0903BEA , PD0903BV , PD0903BVA , PD1203BEA .

History: AOT20N25 | RJK0629JPE | HY3208P

 

 
Back to Top

 


 
.