PM550BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PM550BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PM550BA
PM550BA Datasheet (PDF)
pm550ba.pdf

PM550BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3 @VGS = 10V250V 0.4ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS250VGate-Source Voltage VGS20TA = 25 C0.4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC0.3IDM1.6Pulsed Drain Curren
Другие MOSFET... PM505BA , PM506BA , PM509BA , PM513BA , PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , IRFZ24N , PM557BA , PM560BZ , PM561BA , PM597BA , PM600BZ , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA .
History: BUK9M5R0-40H | NCEP020N10LL | IRF2204LPBF
History: BUK9M5R0-40H | NCEP020N10LL | IRF2204LPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor