PM550BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PM550BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PM550BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM550BA даташит

 ..1. Size:499K  unikc
 pm550ba.pdf pdf_icon

PM550BA

PM550BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 3 @VGS = 10V 250V 0.4A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 250 V Gate-Source Voltage VGS 20 TA = 25 C 0.4 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 0.3 IDM 1.6 Pulsed Drain Curren

Другие IGBT... PM505BA, PM506BA, PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, STF13NM60N, PM557BA, PM560BZ, PM561BA, PM597BA, PM600BZ, PM606BA, P2503BDG, P2503HEA