PM606BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PM606BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PM606BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM606BA даташит

 ..1. Size:487K  unikc
 pm606ba.pdf pdf_icon

PM606BA

PM606BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = 10V 30V 5A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 TA = 25 C 5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 3.7 IDM 15 Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:323K  niko-sem
 pm606ba.pdf pdf_icon

PM606BA

N-Channel Enhancement Mode Field PM606BA NIKO-SEM Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 20m 6.2A G G. GATE D. DRAIN S. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA =

Другие IGBT... PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, PM560BZ, PM561BA, PM597BA, PM600BZ, AO3400A, P2503BDG, P2503HEA, P2503HVG, P2503NVG, P2504BDG, P2504EDG, P2504EI, P2804BDG