Справочник MOSFET. PM606BA

 

PM606BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PM606BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PM606BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM606BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:487K  unikc
 pm606ba.pdf pdf_icon

PM606BA

PM606BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 5ASOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS30VGate-Source Voltage VGS20TA = 25 C5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC3.7IDM15Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:323K  niko-sem
 pm606ba.pdf pdf_icon

PM606BA

N-Channel Enhancement Mode Field PM606BA NIKO-SEM Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 20m 6.2A GG. GATE D. DRAIN S. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA =

Другие MOSFET... PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , PM560BZ , PM561BA , PM597BA , PM600BZ , RU6888R , P2503BDG , P2503HEA , P2503HVG , P2503NVG , P2504BDG , P2504EDG , P2504EI , P2804BDG .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | RQ6E035AT | CHM5813ESQ2GP | FQP3N60

 

 
Back to Top

 


 
.