P2806BD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P2806BD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P2806BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2806BD даташит

 ..1. Size:664K  unikc
 p2806bd.pdf pdf_icon

P2806BD

P2806BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 28m @VGS = 10V 60V 30A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 30 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 19 A IDM 100 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 30 EA

 8.1. Size:478K  unikc
 p2806bv.pdf pdf_icon

P2806BD

P2806BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 28m @VGS = 10V 60V 7A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 7 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 5 A IDM 35 Pulsed Drain Current1 IAS

 9.1. Size:380K  unikc
 p2806atf.pdf pdf_icon

P2806BD

P2806ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 30m @VGS = 10V 27A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 27 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 17 A IDM 105 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 29 E

 9.2. Size:345K  unikc
 p2806at.pdf pdf_icon

P2806BD

P2806AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 30m @VGS = 10V 34A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 34 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 21 A IDM 110 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 29 EAS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P2804BDG, P2804BI, P2804BVG, P2804HVG, P2804ND5G, P2804NVG, P2806AT, P2806ATF, AOD4184A, P2806BV, P2806HV, P5102FM, P5102FM6, P5102FMA, P5102FMNV, P5103EAG, P5103EMA