Справочник MOSFET. P5102FM

 

P5102FM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P5102FM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P5102FM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  unikc
 p5102fm.pdf pdf_icon

P5102FM

P5102FMP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = -4.5V-20V -3.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.8IDM-21Pulsed Drain

 ..2. Size:363K  niko-sem
 p5102fm.pdf pdf_icon

P5102FM

P5102FMP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-20V 45m @VGS = -4.5V -3.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.8IDM-21Pulsed Drain C

 0.1. Size:529K  unikc
 p5102fmnv.pdf pdf_icon

P5102FM

P5102FMNVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = -4.5V-20V -3.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.8IDM-21Pulsed Drai

 0.2. Size:483K  unikc
 p5102fm6.pdf pdf_icon

P5102FM

P5102FM6P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -4.5V-20V -4.2ASOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-4.2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3.3AIDM-21Pulsed Dra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 3SK232 | IRFS331 | IRFS251 | AOC2802

 

 
Back to Top

 


 
.