Справочник MOSFET. P5102FMA

 

P5102FMA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P5102FMA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 16.7 nC
   Время нарастания (tr): 36 ns
   Выходная емкость (Cd): 185 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для P5102FMA

 

 

P5102FMA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:790K  unikc
p5102fma.pdf

P5102FMA P5102FMA

P5102FMAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = -4.5V-20V -3.5ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.8IDM-21Pulsed Dra

 7.1. Size:539K  unikc
p5102fm.pdf

P5102FMA P5102FMA

P5102FMP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = -4.5V-20V -3.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.8IDM-21Pulsed Drain

 7.2. Size:529K  unikc
p5102fmnv.pdf

P5102FMA P5102FMA

P5102FMNVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = -4.5V-20V -3.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.8IDM-21Pulsed Drai

 7.3. Size:483K  unikc
p5102fm6.pdf

P5102FMA P5102FMA

P5102FM6P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -4.5V-20V -4.2ASOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-4.2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3.3AIDM-21Pulsed Dra

 7.4. Size:363K  niko-sem
p5102fm.pdf

P5102FMA P5102FMA

P5102FMP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-20V 45m @VGS = -4.5V -3.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.8IDM-21Pulsed Drain C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top