P5102FMA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P5102FMA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16.7 nC
Время нарастания (tr): 36 ns
Выходная емкость (Cd): 185 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT23
P5102FMA Datasheet (PDF)
p5102fma.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P5102FMAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = -4.5V-20V -3.5ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.8IDM-21Pulsed Dra
p5102fm.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P5102FMP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = -4.5V-20V -3.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.8IDM-21Pulsed Drain
p5102fmnv.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P5102FMNVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID45m @VGS = -4.5V-20V -3.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.8IDM-21Pulsed Drai
p5102fm6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P5102FM6P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -4.5V-20V -4.2ASOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-4.2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3.3AIDM-21Pulsed Dra
p5102fm.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P5102FMP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-20V 45m @VGS = -4.5V -3.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.8IDM-21Pulsed Drain C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![P5102FMA](https://alltransistors.com/images/us.png)
![P5102FMA](https://alltransistors.com/images/es.png)
![P5102FMA](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C