Справочник MOSFET. P5103EAG

 

P5103EAG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P5103EAG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P5103EAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  unikc
 p5103eag.pdf pdf_icon

P5103EAG

P5103EAGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -10V-30V -5ATSOP- 06ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VGSGate-Source Voltage 20 VDrain-Gate Voltage (RGS=20K VDG-30TA = 25 C-5IDContinuous Drain CurrentTA = 7

 8.1. Size:755K  unikc
 p5103emg.pdf pdf_icon

P5103EAG

P5103EMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -10V-30V -3.8ASOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-3.8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3IDM-20Pul

 8.2. Size:430K  unikc
 p5103ema.pdf pdf_icon

P5103EAG

P5103EMAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -10V-30V -3.8ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-3.8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3IDM-20Pulsed Drain

 9.1. Size:302K  cystek
 mtp5103j3.pdf pdf_icon

P5103EAG

Spec. No. : C400J3 Issued Date : 2012.02.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP5103J3 ID -23A35m(typ.)RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 57m(typ.)Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-5A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.