Справочник MOSFET. P5103EMA

 

P5103EMA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P5103EMA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 13.3 nC
   Время нарастания (tr): 23 ns
   Выходная емкость (Cd): 98 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.051 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для P5103EMA

 

 

P5103EMA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  unikc
 p5103ema.pdf

P5103EMA P5103EMA

P5103EMAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -10V-30V -3.8ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-3.8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3IDM-20Pulsed Drain

 7.1. Size:755K  unikc
 p5103emg.pdf

P5103EMA P5103EMA

P5103EMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -10V-30V -3.8ASOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-3.8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3IDM-20Pul

 8.1. Size:486K  unikc
 p5103eag.pdf

P5103EMA P5103EMA

P5103EAGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -10V-30V -5ATSOP- 06ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VGSGate-Source Voltage 20 VDrain-Gate Voltage (RGS=20K VDG-30TA = 25 C-5IDContinuous Drain CurrentTA = 7

 9.1. Size:302K  cystek
 mtp5103j3.pdf

P5103EMA P5103EMA

Spec. No. : C400J3 Issued Date : 2012.02.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP5103J3 ID -23A35m(typ.)RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 57m(typ.)Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-5A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package

 9.2. Size:359K  cystek
 mtp5103n3.pdf

P5103EMA P5103EMA

Spec. No. : C400N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2011.11.28 Revised Date : 2017.06.23 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VID @TA=25C , VGS=-10V -4.5A MTP5103N3 41m VGS=-10V, ID=-4.5A RDSON(TYP) 60m VGS=-4.5V, ID=-3.5A Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technolog

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top