P5504EVG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P5504EVG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для P5504EVG
P5504EVG Datasheet (PDF)
p5504evg.pdf

P5504EVGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 55m @VGS = -10V -6ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-4.8IDM-20Pulsed Drain Cur
p5504edg.pdf

P5504EDGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID55m @VGS = -10V-40V -21ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-21IDContinuous Drain CurrentTC = 100 AC-13IDM-39Pulsed Drain Cu
p5504edg.pdf

P5504EDGwww.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unl
mxp5504ct.pdf

MXP5504CT Datasheet55V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 55V 4m 144AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrdering InformationPark Number Package BrandMXP5504CT TO-220 MXPAbsolute Maximum Ratings TC=25
Другие MOSFET... P5102FM6 , P5102FMA , P5102FMNV , P5103EAG , P5103EMA , P5103EMG , P5503QV , P5504EDG , IRF540 , P5506BDG , P5506BVG , P5506HVG , P5506NVG , P2803BMG , P2803HVG , P2803NVG , P2904BD .
History: HAT2215R | HY2N65T | AOTF20N40 | IPP60R1K4C6 | HTS210C03 | HITJ0202MP
History: HAT2215R | HY2N65T | AOTF20N40 | IPP60R1K4C6 | HTS210C03 | HITJ0202MP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor