P5506BDG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P5506BDG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P5506BDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5506BDG даташит

 ..1. Size:478K  unikc
 p5506bdg.pdf pdf_icon

P5506BDG

P5506BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 55m @VGS = 10V 60V 22A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 22 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C 18 IDM 80 Pulsed Drain Current1

 7.1. Size:215K  niko-sem
 p5506bda.pdf pdf_icon

P5506BDG

N-Channel Enhancement Mode P5506BDA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 55m 15A 1. GATE G 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

 8.1. Size:493K  unikc
 p5506bvg.pdf pdf_icon

P5506BDG

P5506BVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 55m @VGS =10V 60V 5.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 Tc = 25 C 5.5 ID Continuous Drain Current1 Tc = 70 A C 4.5 IDM Pulsed Drain Current 2

 8.2. Size:240K  niko-sem
 p5506bva.pdf pdf_icon

P5506BDG

N-Channel Enhancement Mode P5506BVA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 60V 55m 4.5A G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P5102FMA, P5102FMNV, P5103EAG, P5103EMA, P5103EMG, P5503QV, P5504EDG, P5504EVG, 50N06, P5506BVG, P5506HVG, P5506NVG, P2803BMG, P2803HVG, P2803NVG, P2904BD, P5010AV