P5506BDG - аналоги и даташиты транзистора

 

P5506BDG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P5506BDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для P5506BDG

 

P5506BDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  unikc
 p5506bdg.pdf pdf_icon

P5506BDG

P5506BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 55m @VGS = 10V 60V 22A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 22 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C 18 IDM 80 Pulsed Drain Current1

 7.1. Size:215K  niko-sem
 p5506bda.pdf pdf_icon

P5506BDG

N-Channel Enhancement Mode P5506BDA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 55m 15A 1. GATE G 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

 8.1. Size:493K  unikc
 p5506bvg.pdf pdf_icon

P5506BDG

P5506BVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 55m @VGS =10V 60V 5.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 Tc = 25 C 5.5 ID Continuous Drain Current1 Tc = 70 A C 4.5 IDM Pulsed Drain Current 2

 8.2. Size:240K  niko-sem
 p5506bva.pdf pdf_icon

P5506BDG

N-Channel Enhancement Mode P5506BVA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 60V 55m 4.5A G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P5102FMA , P5102FMNV , P5103EAG , P5103EMA , P5103EMG , P5503QV , P5504EDG , P5504EVG , 50N06 , P5506BVG , P5506HVG , P5506NVG , P2803BMG , P2803HVG , P2803NVG , P2904BD , P5010AV .

 

 
Back to Top

 


 
.