Справочник MOSFET. P2904BD

 

P2904BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P2904BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P2904BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2904BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  unikc
 p2904bd.pdf pdf_icon

P2904BD

P2904BDN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID29m @VGS = 10V40V 25ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TA= 25 C25IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C20AIDM75Pulsed Drain

 9.1. Size:91K  ape
 ap2904ec4.pdf pdf_icon

P2904BD

AP2904EC4Halogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive VSSS 24V Ultra-small Package Outline RSS(ON) 38m Protection Diode Built-in IS 6A RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP2904 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest po

Другие MOSFET... P5504EVG , P5506BDG , P5506BVG , P5506HVG , P5506NVG , P2803BMG , P2803HVG , P2803NVG , IRF630 , P5010AV , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , PB521BX .

History: 3SK294 | AP2609GYT-HF | NCE65N230F

 

 
Back to Top

 


 
.