P2904BD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P2904BD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P2904BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2904BD даташит

 ..1. Size:523K  unikc
 p2904bd.pdf pdf_icon

P2904BD

P2904BD N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 29m @VGS = 10V 40V 25A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA= 25 C 25 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 20 A IDM 75 Pulsed Drain

 9.1. Size:91K  ape
 ap2904ec4.pdf pdf_icon

P2904BD

AP2904EC4 Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive VSSS 24V Ultra-small Package Outline RSS(ON) 38m Protection Diode Built-in IS 6A RoHS Compliant & Halogen-Free Description AP2904 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po

Другие IGBT... P5504EVG, P5506BDG, P5506BVG, P5506HVG, P5506NVG, P2803BMG, P2803HVG, P2803NVG, IRF640N, P5010AV, P5015ATF, P5015BD, P5015BTF, P50N03LTG, P5803NAG, P5806NVG, PB521BX