P5010AV - аналоги и даташиты транзистора

 

P5010AV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P5010AV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P5010AV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5010AV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  unikc
 p5010av.pdf pdf_icon

P5010AV

P5010AVN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 10V100V 5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C5IDContinuous Drain Current1TA = 100 C3AIDM40Pulsed Drain

 8.1. Size:336K  unikc
 p5010as.pdf pdf_icon

P5010AV

P5010AS N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 50m @VGS = 10V 34A TO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C34IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C21AIDM120Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 37

 8.2. Size:351K  unikc
 p5010at.pdf pdf_icon

P5010AV

P5010ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 50m @VGS = 10V 30ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C30IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C18AIDM70Pulsed Drain Current1

 8.3. Size:575K  unikc
 p5010ad.pdf pdf_icon

P5010AV

P5010ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 10V100V 23ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C23IDContinuous Drain Current1TC = 100 C14AIDM90Pulsed Drain Curren

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P5506BDG , P5506BVG , P5506HVG , P5506NVG , P2803BMG , P2803HVG , P2803NVG , P2904BD , 10N60 , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , PB521BX , PV501BA .

History: IPP60R380P6 | HAT3040R

 

 
Back to Top

 


 
.