Справочник MOSFET. IRF142

 

IRF142 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF142
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 59(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 60(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF142

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF142 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  st
irf140 irf141 irf142 irf143.pdfpdf_icon

IRF142

 9.1. Size:179K  international rectifier
irf1405z.pdfpdf_icon

IRF142

PD - 94645AUTOMOTIVE MOSFETIRF1405ZHEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating TemperatureRDS(on) = 4.9ml Fast SwitchingGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes the latest processin

 9.2. Size:313K  international rectifier
auirf1405zstrl.pdfpdf_icon

IRF142

PD - 97486AAUIRF1405ZSAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1405ZLFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistance DV(BR)DSS55Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) max.4.9mGl Repetitive Avalanche Allowed up toTjmax S ID150Al Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified *DDDescriptionSpecifically designed for

 9.3. Size:274K  international rectifier
irf1404spbf.pdfpdf_icon

IRF142

PD -95104IRF1404SPbFIRF1404LPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating Temperature VDSS = 40Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.004Gl Lead-FreeID = 162ADescriptionSSeventh Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtec

Другие MOSFET... IRF1104 , IRF130 , IRF1310N , IRF1310NL , IRF1310NS , IRF140 , IRF1404 , IRF141 , IRFP450 , IRF143 , IRF150 , IRF151 , IRF153 , IRF230 , IRF240 , IRF250 , IRF2807 .

History: SIA416DJ | BRCS200P012MF | IRF9392PBF

 

 
Back to Top

 


 
.