Справочник MOSFET. PV510BA

 

PV510BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV510BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PV510BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV510BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  unikc
 pv510ba.pdf pdf_icon

PV510BA

PV510BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4m @VGS = 10V30V 22ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C22IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C17AIDM100Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:352K  niko-sem
 pv510ba.pdf pdf_icon

PV510BA

PV510BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 4m 22A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Другие MOSFET... P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , PB521BX , PV501BA , PV507BA , STP75NF75 , PV516DA , PV537BA , PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.