PV510BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PV510BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PV510BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для PV510BA

 

PV510BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  unikc
 pv510ba.pdf pdf_icon

PV510BA

PV510BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4m @VGS = 10V 30V 22A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 22 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 17 A IDM 100 Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:352K  niko-sem
 pv510ba.pdf pdf_icon

PV510BA

PV510BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 30V 4m 22A G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Другие MOSFET... P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , PB521BX , PV501BA , PV507BA , 7N65 , PV516DA , PV537BA , PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA .

 

 
Back to Top

 


 
.