PV600BA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PV600BA 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.95 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm
Тип корпуса: SOP8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PV600BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PV600BA даташит
pv600ba.pdf
PV600BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 10.8m @VGS = 10V 30V 10A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 10 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 8 A IDM 40 Pulsed Drain Current1
pv600ba.pdf
PV600BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 30V 10.8m 10A G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 2
pv600ba.pdf
PV600BA www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.008 at VGS = 10 V 13 30 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.011 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch S
Другие IGBT... PB521BX, PV501BA, PV507BA, PV510BA, PV516DA, PV537BA, PV548BA, PV551BA, 2SK3878, PV601CA, PV604CA, PV606BA, PV628BA, PV628DA, PV650BA, P6002OAG, P6003QEA
History: DHS025N88I | SVS7N65SD2TR | SI4816BDY | P5015BTF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement



