PV606BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PV606BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PV606BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для PV606BA

 

PV606BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  unikc
 pv606ba.pdf pdf_icon

PV606BA

PV606BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 18m @VGS = 10V 30V 7.7A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 7.7 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 6 A IDM 28 Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:237K  niko-sem
 pv606ba.pdf pdf_icon

PV606BA

Другие MOSFET... PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA , IRF9540N , PV628BA , PV628DA , PV650BA , P6002OAG , P6003QEA , P6004ED , P6006BD , P6006BI .

 

 
Back to Top

 


 
.