PV606BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PV606BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PV606BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV606BA даташит

 ..1. Size:464K  unikc
 pv606ba.pdf pdf_icon

PV606BA

PV606BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 18m @VGS = 10V 30V 7.7A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 7.7 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 6 A IDM 28 Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:237K  niko-sem
 pv606ba.pdf pdf_icon

PV606BA

Другие IGBT... PV510BA, PV516DA, PV537BA, PV548BA, PV551BA, PV600BA, PV601CA, PV604CA, IRF9540N, PV628BA, PV628DA, PV650BA, P6002OAG, P6003QEA, P6004ED, P6006BD, P6006BI