P6006BD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6006BD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6006BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6006BD даташит

 ..1. Size:493K  unikc
 p6006bd.pdf pdf_icon

P6006BD

P6006BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 60V 21A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 21 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C 17 IDM 85 Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:371K  niko-sem
 p6006bd.pdf pdf_icon

P6006BD

P6006BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 60m @VGS = 10V 21A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 21 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C 17 IDM 85 Pulsed Drain Current1 T

 8.1. Size:329K  unikc
 p6006bi.pdf pdf_icon

P6006BD

P6006BI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 65m @VGS = 10V 18A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 18 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 11.8 A IDM 34 Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:466K  unikc
 p6006hv.pdf pdf_icon

P6006BD

P6006HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 60V 4.5A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 4.5 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 3.2 A IDM 20 Pulsed Drain Cur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PV604CA, PV606BA, PV628BA, PV628DA, PV650BA, P6002OAG, P6003QEA, P6004ED, SPP20N60C3, P6006BI, P6006HV, P6010DDG, P6010DTFG, P6010DTG, P6015AD, P6015AT, P6015AV