P6006BI - аналоги и даташиты транзистора

 

P6006BI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P6006BI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для P6006BI

 

P6006BI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  unikc
p6006bi.pdfpdf_icon

P6006BI

P6006BI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 65m @VGS = 10V 18A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 18 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 11.8 A IDM 34 Pulsed Drain Current1

 8.1. Size:493K  unikc
p6006bd.pdfpdf_icon

P6006BI

P6006BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 60V 21A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 21 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C 17 IDM 85 Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:371K  niko-sem
p6006bd.pdfpdf_icon

P6006BI

P6006BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 60m @VGS = 10V 21A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 21 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C 17 IDM 85 Pulsed Drain Current1 T

 9.1. Size:466K  unikc
p6006hv.pdfpdf_icon

P6006BI

P6006HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 60V 4.5A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 4.5 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 3.2 A IDM 20 Pulsed Drain Cur

Другие MOSFET... PV606BA , PV628BA , PV628DA , PV650BA , P6002OAG , P6003QEA , P6004ED , P6006BD , SKD502T , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG , P6015AD , P6015AT , P6015AV , P6015CDG .

 

 
Back to Top

 


 
.