P6006BI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P6006BI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO251
P6006BI Datasheet (PDF)
p6006bi.pdf
P6006BI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 65m @VGS = 10V 18A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 18 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 11.8 A IDM 34 Pulsed Drain Current1
p6006bd.pdf
P6006BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 60V 21A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 21 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C 17 IDM 85 Pulsed Drain Current1
p6006bd.pdf
P6006BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 60m @VGS = 10V 21A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 21 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C 17 IDM 85 Pulsed Drain Current1 T
p6006hv.pdf
P6006HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 60V 4.5A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 4.5 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 3.2 A IDM 20 Pulsed Drain Cur
Другие MOSFET... PV606BA , PV628BA , PV628DA , PV650BA , P6002OAG , P6003QEA , P6004ED , P6006BD , SKD502T , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG , P6015AD , P6015AT , P6015AV , P6015CDG .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a









