Справочник MOSFET. P6010DTFG

 

P6010DTFG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P6010DTFG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 324 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для P6010DTFG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6010DTFG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  unikc
 p6010dtfg.pdf pdf_icon

P6010DTFG

P6010DTFGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = -10V -100V -24ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-24IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-15AIDM-96Pulsed D

 7.1. Size:514K  unikc
 p6010dtg.pdf pdf_icon

P6010DTFG

P6010DTGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = -10V -100V -27ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-27IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-17AIDM-100Pulsed Dra

 8.1. Size:414K  unikc
 p6010ddg.pdf pdf_icon

P6010DTFG

P6010DDGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = -10V-100V -20ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-12AIDM-60

 8.2. Size:414K  niko-sem
 p6010ddg.pdf pdf_icon

P6010DTFG

P6010DDGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = -10V-100V -20ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-12AIDM-60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PV650BA , P6002OAG , P6003QEA , P6004ED , P6006BD , P6006BI , P6006HV , P6010DDG , RFP50N06 , P6010DTG , P6015AD , P6015AT , P6015AV , P6015CDG , P6015CSG , P6402FMG , P6403FMG .

History: SI1071X

 

 
Back to Top

 


 
.