P6010DTG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6010DTG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6010DTG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6010DTG даташит

 ..1. Size:514K  unikc
 p6010dtg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DTG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = -10V -100V -27A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -27 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -17 A IDM -100 Pulsed Dra

 7.1. Size:386K  unikc
 p6010dtfg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DTFG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = -10V -100V -24A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -24 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -15 A IDM -96 Pulsed D

 8.1. Size:414K  unikc
 p6010ddg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DDG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = -10V -100V -20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -12 A IDM -60

 8.2. Size:414K  niko-sem
 p6010ddg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DDG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = -10V -100V -20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -12 A IDM -60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P6002OAG, P6003QEA, P6004ED, P6006BD, P6006BI, P6006HV, P6010DDG, P6010DTFG, 12N60, P6015AD, P6015AT, P6015AV, P6015CDG, P6015CSG, P6402FMG, P6403FMG, P6503FM