Справочник MOSFET. P6010DTG

 

P6010DTG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P6010DTG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 89 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P6010DTG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6010DTG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  unikc
 p6010dtg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DTGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = -10V -100V -27ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-27IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-17AIDM-100Pulsed Dra

 7.1. Size:386K  unikc
 p6010dtfg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DTFGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = -10V -100V -24ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-24IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-15AIDM-96Pulsed D

 8.1. Size:414K  unikc
 p6010ddg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DDGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = -10V-100V -20ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-12AIDM-60

 8.2. Size:414K  niko-sem
 p6010ddg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DDGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = -10V-100V -20ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-12AIDM-60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.