P6010DTG - аналоги и даташиты транзистора

 

P6010DTG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P6010DTG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для P6010DTG

 

P6010DTG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  unikc
 p6010dtg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DTG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = -10V -100V -27A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -27 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -17 A IDM -100 Pulsed Dra

 7.1. Size:386K  unikc
 p6010dtfg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DTFG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = -10V -100V -24A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -24 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -15 A IDM -96 Pulsed D

 8.1. Size:414K  unikc
 p6010ddg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DDG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = -10V -100V -20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -12 A IDM -60

 8.2. Size:414K  niko-sem
 p6010ddg.pdf pdf_icon

P6010DTG

P6010DDG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = -10V -100V -20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -12 A IDM -60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P6002OAG , P6003QEA , P6004ED , P6006BD , P6006BI , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG , 12N60 , P6015AD , P6015AT , P6015AV , P6015CDG , P6015CSG , P6402FMG , P6403FMG , P6503FM .

History: P6015AD

 

 
Back to Top

 


 
.