P6015AD - аналоги и даташиты транзистора

 

P6015AD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P6015AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P6015AD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6015AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:517K  unikc
 p6015ad.pdf pdf_icon

P6015AD

P6015AD N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = 10V150V 25ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C25IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C16AIDM100Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 20

 8.1. Size:342K  unikc
 p6015av.pdf pdf_icon

P6015AD

P6015AVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID150V 60m @VGS = 10V 5ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C4AIDM22Pulsed Drain Current1I

 8.2. Size:452K  unikc
 p6015at.pdf pdf_icon

P6015AD

P6015ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = 10V150V 26ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C26IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C16AIDM80Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 21EA

 8.3. Size:321K  ncepower
 ncep6015as.pdf pdf_icon

P6015AD

http://www.ncepower.com NCEP6015ASNCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP6015AS uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high VDS =60V,ID =15A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=8.3m (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low RDS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P6003QEA , P6004ED , P6006BD , P6006BI , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG , IRF4905 , P6015AT , P6015AV , P6015CDG , P6015CSG , P6402FMG , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 .

 

 
Back to Top

 


 
.