P6015AT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6015AT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6015AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6015AT даташит

 ..1. Size:452K  unikc
 p6015at.pdf pdf_icon

P6015AT

P6015AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 150V 26A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 26 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 16 A IDM 80 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 21 EA

 8.1. Size:517K  unikc
 p6015ad.pdf pdf_icon

P6015AT

P6015AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 150V 25A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 25 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 16 A IDM 100 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 20

 8.2. Size:342K  unikc
 p6015av.pdf pdf_icon

P6015AT

P6015AV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150V 60m @VGS = 10V 5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 5 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 4 A IDM 22 Pulsed Drain Current1 I

 8.3. Size:321K  ncepower
 ncep6015as.pdf pdf_icon

P6015AT

http //www.ncepower.com NCEP6015AS NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP6015AS uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high VDS =60V,ID =15A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=8.3m (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low RDS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P6004ED, P6006BD, P6006BI, P6006HV, P6010DDG, P6010DTFG, P6010DTG, P6015AD, IRF1010E, P6015AV, P6015CDG, P6015CSG, P6402FMG, P6403FMG, P6503FM, P6503FM6, P6503FMA