Справочник MOSFET. P6803HVG

 

P6803HVG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P6803HVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P6803HVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  unikc
 p6803hvg.pdf pdf_icon

P6803HVG

P6803HVGDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID58m @VGS = 10V30V 4.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C4.5IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C3.6 AIDM20Pulsed Drain Curr

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CS60N04C4 | PMN50UPE | 2SJ362

 

 
Back to Top

 


 
.