P6803HVG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6803HVG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6803HVG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6803HVG даташит

 ..1. Size:501K  unikc
 p6803hvg.pdf pdf_icon

P6803HVG

P6803HVG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 58m @VGS = 10V 30V 4.5A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 4.5 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 3.6 A IDM 20 Pulsed Drain Curr

Другие IGBT... P6015AV, P6015CDG, P6015CSG, P6402FMG, P6403FMG, P6503FM, P6503FM6, P6503FMA, TK10A60D, PK610SA, PK612DZ, PK615BM6, PK615BMA, PK616BA, PK618BA, PK626BA, PK632BA