Справочник MOSFET. P6803HVG

 

P6803HVG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P6803HVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P6803HVG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6803HVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  unikc
 p6803hvg.pdf pdf_icon

P6803HVG

P6803HVGDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID58m @VGS = 10V30V 4.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C4.5IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C3.6 AIDM20Pulsed Drain Curr

Другие MOSFET... P6015AV , P6015CDG , P6015CSG , P6402FMG , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , IRFZ24N , PK610SA , PK612DZ , PK615BM6 , PK615BMA , PK616BA , PK618BA , PK626BA , PK632BA .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.