Справочник MOSFET. IRF153

 

IRF153 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF153
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 120(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF153

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF153 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  st
irf150 irf151 irf152 irf153.pdfpdf_icon

IRF153

 0.1. Size:201K  international rectifier
irf1530n.pdfpdf_icon

IRF153

PD -9.1353IRFI530NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Isolated PackageVDSS = 100V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.11 Fully Avalanche RatedID = 11ADescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resista

 9.1. Size:150K  international rectifier
irf150.pdfpdf_icon

IRF153

PD - 90337GREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF150HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6764THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6764[REF:MIL-PRF-19500/543]100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF150 100V 0.055 38AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

 9.2. Size:330K  international rectifier
irf1503lpbf irf1503spbf.pdfpdf_icon

IRF153

PD - 95432AIRF1503SPbFIRF1503LPbFTypical ApplicationsHEXFET Power MOSFET Industrial Motor DriveDVDSS = 30VBenefitsl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 3.3mGl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingID = 75Al Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSDescriptionThis Stripe Planar design of HEXFET Power MOSFETsutilizes th

Другие MOSFET... IRF1310NS , IRF140 , IRF1404 , IRF141 , IRF142 , IRF143 , IRF150 , IRF151 , 4435 , IRF230 , IRF240 , IRF250 , IRF2807 , IRF2807L , IRF2807S , IRF3205 , IRF3205L .

 

 
Back to Top

 


 
.