PA406EM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PA406EM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PA406EM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA406EM даташит

 ..1. Size:763K  unikc
 pa406em.pdf pdf_icon

PA406EM

PA406EM P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 140m @VGS = -10V -60V -2A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -2 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -1.5 IDM -7 Pulsed Drain Curr

Другие IGBT... PA110BL, PA110BV, PA203EMG, PA210BC, PA210BL, PA210HK, PA210HV, PA210HVA, EMB04N03H, PA410BD, PA502FMG, PA504EM, PA504EV, PA606BMG, PA606HAG, PA610AD, PA610ATF